[实用新型]增强耗尽型GaN HEMT环形振荡器

摘要

本实用新型提供了一种增强耗尽型GaN HEMT环形振荡器，其包括由下自上依次形成的Si衬底、成核层、GaN缓冲层、隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN保护层，GaN保护层上间隔设置有多个隔离区，隔离区从GaN保护层的表面嵌入延伸至GaN缓冲层内部，在相邻两个隔离区之间的GaN保护层上形成有第一漏极、第二漏极、源极、增强型栅极和耗尽型栅极，源极位于第一漏极和第二漏极之间，增强型栅极形成在第一漏极和源极之间，且增强型栅极嵌入GaN保护层并与AlN势垒层接触，耗尽型栅极形成在第二漏极和源极之间。通过上述方式，本实用新型能够简化器件结构，降低工艺难度。

主权项

一种增强耗尽型GaN HEMT环形振荡器，其特征在于，包括Si衬底、形成在所述Si衬底上的成核层、形成在所述成核层上的GaN缓冲层、形成在所述缓冲层上的隔离层、形成在所述隔离层上的GaN掺杂层、形成在所述GaN掺杂层上的GaN沟道层、形成在所述GaN沟道层上的AlN势垒层和形成在所述AlN势垒层上的GaN保护层，所述GaN保护层上间隔设置有多个隔离区，所述隔离区从所述GaN保护层的表面嵌入延伸至所述GaN缓冲层内部，在相邻两个隔离区之间的所述GaN保护层上形成有第一漏极、第二漏极、源极、增强型栅极和耗尽型栅极，所述源极位于所述第一漏极和第二漏极之间，所述增强型栅极形成在所述第一漏极和所述源极之间，且所述增强型栅极嵌入所述GaN保护层并与所述AlN势垒层接触，所述耗尽型栅极形成在所述第二漏极和所述源极之间。