[实用新型]一种半导体制冷制热片有效

专利信息
申请号: 201520825073.4 申请日: 2015-10-24
公开(公告)号: CN205227912U 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 唐玉敏;虞红伟;张明亮;孙莹莹;马旦 申请(专利权)人: 唐玉敏;虞红伟
主分类号: F25B21/02 分类号: F25B21/02
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 315400 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及半导体制冷制热技术领域,尤其涉及一种半导体制冷制热片。包括用于吸热的冷端、用于散热的热端、设置在所述冷端和热端之间的N型半导体和P型半导体、连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体、电源;所述金属导体设置用于电连接所述电源的正负电极;其特征在于:所述N型半导体设置石墨烯层,或者所述P型半导体设置石墨烯层,或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。即使所述热端并未设置散热装置所述半导体制冷制热片也能保护其不会烧毁,保证其正常工作。
搜索关键词: 一种 半导体 制冷 制热
【主权项】:
一种半导体制冷制热片,包括用于吸热的冷端(1)、用于散热的热端(2)、设置在所述冷端(1)和热端(2)之间的N型半导体(3)和P型半导体(4)、连接所述N型半导体(3)和所述P型半导体(4)的金属导体(5)、电源(6);所述金属导体(5)设置用于电连接所述电源(6)的正负电极;其特征在于:所述N型半导体(3)设置石墨烯层(7),或者所述P型半导体(4)设置石墨烯层(7),或者所述N型半导体(3)和所述P型半导体(4)均设置石墨烯层(7)。
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