[实用新型]一种有效减小电容的功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201520680481.5 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN204885172U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种有效减小电容的功率MOSFET器件，具有衬底、外延层和沟槽结构，所述沟槽结构的内壁附着有绝缘栅氧化层，以及填入沟槽的栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅的高度小于所述沟槽结构的深度。本实用新型通过在沟槽功率MOSFET器件中减少多晶硅上部分的长度，减少了栅电极的长度，使得栅电极和源极区域之间的电容就会显著较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 减小 电容 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET器件，具有衬底、外延层和沟槽结构，所述沟槽结构的内壁附着有绝缘栅氧化层，以及填入沟槽的栅极导电多晶硅，其特征在于，所述栅极导电多晶硅的高度小于所述沟槽结构的深度，同时，所述栅极导电多晶硅的顶部位于源极区的底部之上。
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