[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201520554037.9 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204809251U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李庆;杨龙;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本实用新型在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的透明导电层；位于所述透明导电层上的纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；与所述P型半导体层电性导通的P电极、以及与所述N型半导体层电性导通的N电极。
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