[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201520554037.9 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204809251U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李庆;杨龙;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：
衬底；
位于所述衬底上的N型半导体层；
位于所述N型半导体层上的发光层；
位于所述发光层上的P型半导体层；
位于所述P型半导体层上的透明导电层；
位于所述透明导电层上的纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；
与所述P型半导体层电性导通的P电极、以及与所述N型半导体层电性导通的N电极。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述纳米金属层为纳米银层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述纳米金属层的厚度为1~10nm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层和透明导电层之间对应于P电极下方区域设有电流阻挡层。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上方设有钝化层。
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