[实用新型]一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件有效

专利信息
申请号: 201520493126.7 申请日: 2015-07-06
公开(公告)号: CN204792791U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 高秀秀;陈利;张军亮;姜帆;高耿辉 申请(专利权)人: 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361008 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件,其特征在于,包括:P衬底;第一NW阱区,N-扩散区,第一N+扩散区,第一SP扩散区;ZP扩散区,第二N+扩散区,第二SP扩散区;第二NW阱区,第三N+扩散区,第三SP扩散区;第三NW阱区,以及第四N+扩散区。本实用新型能够减小ESD器件的面积和电容,更加适应目前高频集成电路的发展,拓宽ESD保护器件的应用范围,提高ESD器件的制造灵活性,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 紧凑 灵活 齐纳二极管 触发 scr esd 保护 器件
【主权项】:
一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件,其特征在于,包括:P衬底;第一NW阱区,设置于所述P衬底中的最左侧;N‑扩散区,设置于所述第一NW阱区中;第一N+扩散区,设置于所述N‑扩散区中;第一SP扩散区,设置于所述第一NW阱区中;ZP扩散区,设置于所述P衬底中,且位于所述第一NW阱区右侧;第二N+扩散区,设置于所述ZP扩散区中;第二SP扩散区,设置于所述ZP扩散区和所述P衬底中;第二NW阱区,设置于所述P衬底中,且位于所述ZP扩散区右侧;第三N+扩散区,设置于所述第二NW阱区中;第三SP扩散区,设置于所述P衬底中,且位于所述第二NW阱区右侧;第三NW阱区,设置于所述P衬底中的最右侧;以及第四N+扩散区,设置于所述第三NW阱区中;其中,所述第一SP扩散区和所述第三N+扩散区作为所述ESD保护器件的I/O端,所述第二SP扩散区、所述第三SP扩散区和所述第四N+扩散区作为所述ESD保护器件的GND端,所述第一N+扩散区和所述第二N+扩散区相连接;所述第一SP扩散区和所述第一N+扩散区之间的所述第一NW阱区上方设置有第一绝缘体,所述第一N+扩散区和所述第二N+扩散区之间的所述P衬底上方设置有第二绝缘体,所述第二N+扩散区和所述第二SP扩散区之间的所述ZP扩散区上方设置有第三绝缘体,所述第二SP扩散区和所述第三N+扩散区之间的所述P衬底上方设置有一第四绝缘体,所述第三N+扩散区和第三SP扩散区所述之间的所述P衬底上方设置有第五绝缘体,所述第三SP扩散区和所述第四N+扩散区之间的所述P衬底上方设置有一第六绝缘体。
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