[实用新型]一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件

权利要求书

1.一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于，包括：

P衬底；

第一NW阱区，设置于所述P衬底中的最左侧；

N-扩散区，设置于所述第一NW阱区中；

第一N+扩散区，设置于所述N-扩散区中；

第一SP扩散区，设置于所述第一NW阱区中；

ZP扩散区，设置于所述P衬底中，且位于所述第一NW阱区右侧；

第二N+扩散区，设置于所述ZP扩散区中；

第二SP扩散区，设置于所述ZP扩散区和所述P衬底中；

第二NW阱区，设置于所述P衬底中，且位于所述ZP扩散区右侧；

第三N+扩散区，设置于所述第二NW阱区中；

第三SP扩散区，设置于所述P衬底中，且位于所述第二NW阱区右侧；

第三NW阱区，设置于所述P衬底中的最右侧；以及

第四N+扩散区，设置于所述第三NW阱区中；

其中，所述第一SP扩散区和所述第三N+扩散区作为所述ESD保护器件的I/O端，所述第二SP扩散区、所述第三SP扩散区和所述第四N+扩散区作为所述ESD保护器件的GND端，所述第一N+扩散区和所述第二N+扩散区相连接；所述第一SP扩散区和所述第一N+扩散区之间的所述第一NW阱区上方设置有第一绝缘体，所述第一N+扩散区和所述第二N+扩散区之间的所述P衬底上方设置有第二绝缘体，所述第二N+扩散区和所述第二SP扩散区之间的所述ZP扩散区上方设置有第三绝缘体，所述第二SP扩散区和所述第三N+扩散区之间的所述P衬底上方设置有一第四绝缘体，所述第三N+扩散区和第三SP扩散区所述之间的所述P衬底上方设置有第五绝缘体，所述第三SP扩散区和所述第四N+扩散区之间的所述P衬底上方设置有一第六绝缘体。

2.根据权利要求1所述的一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于：所述第一绝缘体为场氧化物。

3.根据权利要求1所述的一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于：所述第二绝缘体为场氧化物。

4.根据权利要求1所述的一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于：所述第三绝缘体为场氧化物。

5.根据权利要求1所述的一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于：所述第四绝缘体为场氧化物。

6.根据权利要求1所述的一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于：所述第五绝缘体为场氧化物。

7.根据权利要求1所述的一种紧凑灵活型齐纳二极管触发SCR的ESD保护器件，其特征在于：所述第六绝缘体为场氧化物。