[实用新型]一种具有低触发电压强鲁棒性的LVTSCR器件

摘要

本实用新型公开了一种具有低触发电压强鲁棒性的LVTSCR器件，包括P衬底，以及横向设置在P衬底的表面区域内的N阱和P阱，所述N阱的表面区域内横向依次设置有：第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区，并在各个注入区之间设有浅沟槽隔离区；所述P阱的表面区域内横向依次设置有：多晶硅栅、第四N+注入区、第三P+注入区，并在各个注入区之间设有浅沟槽隔离区；并在所述的第三N+注入区跨接在P阱区域的正下方设置有ESD注入层；从而大幅度降低了触发电压，加快SCR的触发开启，提高了器件的ESD响应能力；同时，N阱中的内嵌二极管承担一部分ESD电流，减少GGNMOS工作区域，并且还能提高电流泄放效率，从而增强器件的ESD鲁棒性。

主权项

一种具有低触发电压强鲁棒性的LVTSCR器件，包括P衬底(1)，以及横向设置在P衬底(1)的表面区域内的N阱(2)和P阱(3)，其特征在于：所述N阱(2)的表面区域内横向依次设置有：第一P+注入区(9a)、第一N+注入区(8a)、第二P+注入区(9b)、第二N+注入区(8b)、第三N+注入区(8c)，并在各个注入区之间设有浅沟槽隔离区(6)；所述P阱(3)的表面区域内横向依次设置有：多晶硅栅(7)、第四N+注入区(8d)、第三P+注入区(9c)，并在各个注入区之间设有浅沟槽隔离区(6)；其中，所述的第三N+注入区(8c)横跨在所述N阱(2)和所述P阱(3)的表面部分区域，并在所述的第三N+注入区(8c)跨接在P阱(3)区域的正下方设置有ESD注入层(4)，且所述的多晶硅栅(7)覆盖在所述第三N+注入区(8c)和第四N+注入区(8d)之间的薄栅氧化层(5)之上。