[实用新型]含鳍式场效应晶体管的静态随机存储器单元

摘要

本实用新型提供一种含鳍式场效应晶体管的静态随机存储器单元，包括：N型源/漏离子注入区；第一P型源/漏离子注入区；第二P型源/漏离子注入区；第一半导体鳍；第二半导体鳍；第一栅电极，跨过第一半导体鳍以形成传输门晶体管；第二栅电极，与第一半导体鳍一起形成上拉晶体管，并与第二半导体鳍形成下拉晶体管。传输门晶体管与上拉晶体管共用一个半导体鳍，且均设定为P MOS，并下拉晶体管设定为NMOS，在不增加结构中位单元面积的前提下，可以将P型源/漏离子注入区及N型源/漏离子注入区进行相应的离子注入时，遮挡区域与暴露区域的比（line/space）由6/3降低至4/5，更接近1/1的工艺要求，更容易得到所需的工艺窗口，使得离子注入工艺更容易实现。

主权项

一种含鳍式场效应晶体管的静态随机存储器单元，其特征在于，至少包括：N型源/漏离子注入区；第一P型源/漏离子注入区及第二P型源/漏离子注入区，位于所述N型源/漏离子注入区的相对侧；第一半导体鳍，位于第一P型源/漏离子注入区及所述第二P型源/漏离子注入区；第二半导体鳍，位于所述N型源/漏离子注入区；第一栅电极，位于所述第一P型源/漏离子注入区及所述第二P型源/漏离子注入区，所述第一栅电极跨过所述第一半导体鳍以形成传输门晶体管；第二栅电极，延伸进入所述第一P型源/漏离子注入区及所述N型源/漏离子注入区，或延伸进入所述第二P型源/漏离子注入区及所述N型源/漏离子注入区；所述第二栅电极与所述第一半导体鳍一起形成上拉晶体管，并与所述第二半导体鳍形成下拉晶体管。