[实用新型]功率MOS管芯片多联结构有效
| 申请号： | 201520312140.2 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN204668301U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张干;王建全;彭彪;王作义;崔永明 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 功率MOS管芯片多联结构，包括多个功率管芯片，所述功率管芯片的外露封装面上包括互相绝缘的第一电极、控制电极和第二电极，所述第一电极和第二电极在功率管导通时形成主电流通路，控制电极为功率管的控制端；多个功率管芯片的第一电极互相连接形成第一主电极；所述第一主电极位于外露封装面的中心区域，第二电极均位于第一主电极外侧；所述第一主电极、第二电极和控制电极分别与第一主电极焊盘、第二电极焊盘和多个控制电极焊盘电连接。本实用新型相对采用多个单一功率管芯片的电路结构，显著缩小了板上器件的占用空间和源极走线。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 芯片 联结 | ||
【主权项】：
功率MOS管芯片多联结构，其特征在于，包括多个功率管芯片，所述功率管芯片的外露封装面上包括互相绝缘的第一电极、控制电极和第二电极，所述第一电极和第二电极在功率管导通时形成主电流通路，控制电极为功率管的控制端；多个功率管芯片的第一电极互相连接形成第一主电极；所述第一主电极位于外露封装面的中心区域，第二电极均位于第一主电极外侧； 所述第一主电极、第二电极和控制电极分别与第一主电极焊盘、第二电极焊盘和多个控制电极焊盘电连接，所述功率管芯片为MOS，源极和衬底连接形成第一电极，第二电极为漏极，控制电极为栅极。
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