[实用新型]高压大功率逆变器模块有效
| 申请号： | 201520269965.0 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN204497227U | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 白会荣;李阳;冯洺予;张元元 | 申请（专利权）人： | 锦州辽晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/34;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特殊之处是：所述六个功率MOS芯片集成在一个由底板和边框经一体化封装构成的金属管壳内，在边框上设置外引线，在底板上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上通过高温合金焊料焊接有钼片和铜柱，所述铜柱与外引线位于管壳内部位，所述六个内设续流二极管的功率MOS芯片烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连，功率MOS器件的输入输出端通过硅铝丝连接至外引线。有益效果是：内部结构紧凑，占用空间极小，特别是将功率MOS器件烧结焊接在钼片上，可实现低的空洞率，降低了芯片到管壳的热阻，提高了可靠性。 | ||
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【主权项】：
一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特征是：所述六个功率MOS芯片集成在一个由底板和边框经一体化封装构成的金属管壳内，在边框上设置外引线，在底板上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上通过高温合金焊料焊接有钼片和铜柱，所述铜柱与外引线位于管壳内部位连接，所述六个内设续流二极管的功率MOS芯片烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连，功率MOS器件的输入输出端通过硅铝丝连接至外引线。
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