[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201520266929.9 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN204497237U | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈译;森川直树 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，软化高速二极管的开关波形。在电流沿纵向流动的PiN型二极管的结构中，在电流流经的方向上形成条纹状的结晶缺陷层。由此，在硅中形成有作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子尽早复合的区域和不作为寿命抑制因素来发挥功能、载流子消失得较迟的区域，当施加反偏压时，载流子没有立刻消失，因此能够形成开关速度快且具有软开关波形的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，在电流沿纵向流动的PiN型二极管中，在电流流经的方向上局部具有多个条纹状的结晶缺陷层。
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