[实用新型]用于硅片的等离子体制绒装置有效
| 申请号： | 201520163285.0 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN204441314U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人： | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人： | 金碎平 |
| 地址： | 214213 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于硅片的等离子体制绒装置，包括波导谐振腔和反应腔室，所述波导谐振腔的出口处设置有等离子体激发区，其中，所述等离子体激发区设于扫描矩管中，所述扫描矩管贯穿伸入到反应腔室中，所述反应腔室中设有用于放置硅片的托盘单元，所述托盘单元设于运动载台上。本实用新型提供的用于硅片的等离子体制绒装置，通过在波导谐振腔下游设置贯穿伸入反应腔室中扫描矩管，并将托盘单元设于运动载台上，使得处于托盘上的每排硅片依次经过顶部的等离子体下游吹扫矩管，完成硅片的制绒过程，从而有效减少刻蚀造成的副产物在硅片表面的附着，并可实现连续的在线生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 等离子 体制 装置 | ||
【主权项】：
一种用于硅片的等离子体制绒装置，包括波导谐振腔(1)和反应腔室(11)，所述波导谐振腔(1)的出口处设置有等离子体激发区(4)，其特征在于，所述等离子体激发区(4)设于扫描矩管(3)中，所述扫描矩管(3)贯穿伸入到反应腔室(11)中，所述反应腔室(11)中设有用于放置硅片的托盘单元(5)，所述托盘单元(5)设于运动载台(12)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
