[实用新型]用于硅片的等离子体制绒装置有效
申请号: | 201520163285.0 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN204441314U | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请(专利权)人: | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人: | 金碎平 |
地址: | 214213 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 硅片 等离子 体制 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种等离子体制绒装置,尤其涉及一种用于硅片的等离子体制绒装置。
背景技术
硅太阳能电池已经成为应用最广泛的光电效应产品之一,主流的单晶硅太阳能电池的光电转换效率在20~22%。干法制绒相比传统的湿法制绒,具有绒面均匀,反射率低,工艺自由度高的特点,是提高硅太阳能电池转换效率最直接的途径之一。采用干法制绒的硅片,制作成电池片后平均效率比湿法制绒的硅片高1%左右,具有极大的经济效益。
目前干法制绒主要采用:等离子体制绒、反应离子制绒、激光制绒等技术,其中,等离子体融合反应离子制绒技术的硅片应用最为广泛。但是,由于常规干法制绒的硅片需要在密闭腔室进行,前后均需采用酸或碱液进行处理以消除附着的副产物及去除晶格损伤,不能实现在线的连续处理,因而阻碍了其产业化的进程。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于硅片的等离子体制绒装置,能够有效减少刻蚀造成的副产物在硅片表面的附着,有利于等离子体刻蚀制绒的连续产业化生产。
本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种用于硅片的等离子体制绒装置,包括波导谐振腔和反应腔室,所述波导谐振腔的出口处设置有等离子体激发区,其中,所述等离子体激发区设于扫描矩管中,所述扫描矩管贯穿伸入到反应腔室中,所述反应腔室中设有用于放置硅片的托盘单元,所述托盘单元设于运动载台上。
上述的用于硅片的等离子体制绒装置,其中,所述扫描矩管包括矩形管外芯和矩形管内芯,所述等离子体激发区设于矩形管内芯中,所述矩形管内芯的一端连接进气管,另一端为等离子体喷出口,所述矩形管外芯上开设有真空抽气口。
上述的用于硅片的等离子体制绒装置,其中,所述等离子体喷出口大致为矩形状,宽度范围为5~50mm,所述矩形管外芯和矩形管内芯之间的间隙为3~10mm。
上述的用于硅片的等离子体制绒装置,其中,所述运动载台为传输皮带或传输轨道,所述传输皮带或传输轨道下方设有滚动轮。
上述的用于硅片的等离子体制绒装置,其中,所述运动载台的运动速率为0.1m/min。
上述的用于硅片的等离子体制绒装置,其中,所述托盘单元的数目为多个,所述多个托盘单元按矩阵行列排列,相邻两排托盘单元之间采用活动连接轴链接,每排托盘单元内放置2~5片硅片,每排托盘单元之间具有10~50mm的间隙,所述托盘单元底部设有定位导轨。
本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的用于硅片的等离子体制绒装置,通过在波导谐振腔下游设置贯穿伸入反应腔室中扫描矩管,并将托盘单元设于运动载台上,使得处于托盘上的每排硅片依次经过顶部的等离子体下游吹扫矩管,完成硅片的制绒过程,从而有效减少刻蚀造成的副产物在硅片表面的附着,并可实现连续的在线生产。
附图说明
图1为本实用新型用于硅片的等离子体制绒装置结构示意图;
图2为本实用新型的等离子体制绒装置的扫描矩管结构示意图;
图3为本实用新型的等离子体制绒装置的扫描矩管截面结构示意图;
图4为本实用新型的等离子体制绒装置的托盘单元结构示意图。
图中:
1 波导谐振腔 2 进气管 3 扫描矩管
4 等离子体激发区 5 托盘单元 6 定位导轨
7 滚动轮 8 真空抽气口 9 矩形管外芯
10 矩形管内芯 11 反应腔室 12 运动载台
51 活动连接轴 52 托盘外框 53 区域隔断
54 硅片放置区
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
图1为本实用新型用于硅片的等离子体制绒装置结构示意图。
请参见图1,本实用新型提供的用于硅片的等离子体制绒装置,包括波导谐振腔1和反应腔室11,所述波导谐振腔1的出口处设置有等离子体激发区4,其中,所述等离子体激发区4设于扫描矩管3中,所述扫描矩管3贯穿伸入到反应腔室11中,所述反应腔室11中设有用于放置硅片的托盘单元5,所述托盘单元5设于运动载台12上。
图2为本实用新型的等离子体制绒装置的扫描矩管结构示意图;图3为本实用新型的等离子体制绒装置的扫描矩管截面结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的