[实用新型]一种复合沟道MHEMT微波振荡器有效
申请号: | 201520079927.9 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN204348720U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 李海鸥;吉宪;李琦;李跃;黄伟;马磊;首照宇;吴笑峰;李思敏 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 陈跃琳 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本实用新型公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器,该微波振荡器的有源固体器件由砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管构成;所述砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管自下而上依次由衬底层、渐变缓冲层、缓存层、第一沟道层、第二沟道层、隔离层、势垒层、刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层构成;漏极和源极分设在第二帽层的上方;第一帽层、第二帽层和刻蚀停止层内开设有栅槽,T形的栅极嵌入该栅槽内,栅极的栅脚与势垒层接触。本实用新型工艺简单,器件可靠性强,便于重复。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 沟道 mhemt 微波 振荡器 | ||
【主权项】:
一种复合沟道MHEMT微波振荡器,该微波振荡器的有源固体器件由砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管构成;其特征在于:所述砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管自下而上依次由衬底层、渐变缓冲层、缓存层、第一沟道层、第二沟道层、隔离层、势垒层、刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层构成;漏极和源极分设在第二帽层的上方;第一帽层、第二帽层和刻蚀停止层内开设有栅槽,T形的栅极嵌入该栅槽内,栅极的栅脚与势垒层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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