[实用新型]P-MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201520003013.4 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN204349946U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 刘建飞;周大红;李战功;汪兆华;鞠万金 | 申请（专利权）人： | 深圳市京泉华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种P-MOSFET驱动电路，包括，用于给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管的源极和栅极连接，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。通过额外设置的驱动保护模块，降低了栅极端的电压，有效在直流输入电压大于MOSFET额定电压时保护MOSFET，防止其被击穿，降低驱动电路的成本，实现批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种P‑MOSFET驱动电路，其特征在于，包括：用于提供给P MOS管提供驱动电压的驱动模块和用于保护P MOS管的驱动保护模块，所述驱动模块与P MOS管的源极和栅极连接，所述驱动保护模块与所述驱动模块连接。
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