[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率。具有：腔室，对衬底进行处理；处理单元，具备多个腔室；真空搬送室，连接有多个处理单元；加载互锁室，与真空搬送室连接；装载端口，能够载置多个容纳有多片衬底的容纳容器；大气搬送室，设置于加载互锁室与装载端口之间，具有第一搬送机械装置；第二搬送机械装置，设置于真空搬送室，在加载互锁室与腔室之间搬送衬底；和控制部，控制第一搬送机械装置和第二搬送机械装置，以便将收纳于第X(X为自然数)个容纳容器的最后的衬底搬送至第m(m为自然数)个处理单元中处于无衬底状态的多个腔室中的一个腔室，将收纳于第X+1个容纳容器的多个衬底中最先搬送的衬底搬送至第m+1个处理单元中的多个所述腔室中的任一个。

主权项

1.一种衬底处理装置，其具有：偶数个腔室，对衬底进行处理；处理单元，具备多个所述腔室；真空搬送室，连接有多个所述处理单元；加载互锁室，与所述真空搬送室连接；装载端口，能够载置多个容纳有奇数片衬底的容纳容器；大气搬送室，设置于所述加载互锁室与所述装载端口之间，具有第一搬送机械装置；第二搬送机械装置，设置于所述真空搬送室，在所述加载互锁室与所述腔室之间能够一次搬送2片所述衬底；和控制部，以进行如下工序的方式控制所述第一搬送机械装置和所述第二搬送机械装置：(a)将收纳于第X个所述容纳容器的最后一个衬底搬送至第m个所述处理单元中处于无衬底状态的第n个所述腔室，然后向所述第m个处理单元的所述多个腔室分别供给处理气体来进行处理，X、m、n为自然数；(b)在将收纳于所述第X个容纳容器的最后剩余的一个衬底搬送至所述第n个腔室之后，将收纳于第X+1个所述容纳容器的所述多个衬底中最先搬送的2个衬底搬送至第m+1个处理单元的所述腔室，向所述第m+1个处理单元的多个腔室分别供给处理气体来对所述衬底进行处理；(c)在所述(a)工序中，具有记录腔室序号的工序，记录被搬送了收纳于所述第X个容纳容器的最后剩余的一个衬底的所述第n个腔室的腔室序号；(d)在所述(b)工序之后，基于在所述(c)工序中记录的腔室序号，将收纳于所述第X+1个容纳容器的最后剩余的一个衬底搬送至所述第m个处理单元的第n+1个腔室的工序。