[发明专利]一种像素驱动电路及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510992138.9 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105552085B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 周茂清;段志勇;魏朝刚 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供的一种像素驱动电路,包括基板,形成在基板上的TFT层和像素存储电容,所述的TFT层包括第一TFT层和第二TFT层,所述第一TFT层和第二TFT层之间设有隔离层,所述隔离层中设有若干贯穿所述隔离层的第一互连通孔,所述第一互连通孔内设有导电材料使所述第一TFT层和第二TFT层实现电气连接;所述的像素存储电容形成在所述第二TFT层远离所述隔离层的一侧,并通过设置第三互连通孔使像素电容与第二TFT层实现电气连接。三层结构叠加设置布局,可以针对开关TFT和驱动TFT对特性不同的需求,将开关TFT和驱动TFT分别制备,同时可以有效减少像素电路的版图面积。
搜索关键词: 一种 像素 驱动 电路 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种像素驱动电路,包括基板(100),形成在基板(100)上的TFT层和像素存储电容(103),其特征在于,所述的TFT层包括第一TFT层(101)和第二TFT层(102),所述第一TFT层(101)和第二TFT层(102)之间设有隔离层(104),所述隔离层(104)中设有若干贯穿所述隔离层(104)的第一互连通孔(105),其中,所述第一互连通孔(105)中的一个第一互连通孔(105)内设有导电材料使所述第一TFT层(101)的第一源漏极(106)中的一极和第二TFT层(102)的第二源漏极(113)实现电气连接;所述的像素存储电容(103)形成在所述第二TFT层(102)远离所述隔离层(104)的一侧,并通过设置第三互连通孔(112)使像素存储电容(103)与第二TFT层(102)的第一互连线层(110)实现电气连接;另一个所述第一互连通孔(105)与第三互连通孔(112)内填充的导电材料电气连接实现所述第一源漏极(106)中的另一极与第二互连线层(115)的电气连接。
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