[发明专利]一种像素驱动电路及其制备方法有效
申请号: | 201510992138.9 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN105552085B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 周茂清;段志勇;魏朝刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的一种像素驱动电路,包括基板,形成在基板上的TFT层和像素存储电容,所述的TFT层包括第一TFT层和第二TFT层,所述第一TFT层和第二TFT层之间设有隔离层,所述隔离层中设有若干贯穿所述隔离层的第一互连通孔,所述第一互连通孔内设有导电材料使所述第一TFT层和第二TFT层实现电气连接;所述的像素存储电容形成在所述第二TFT层远离所述隔离层的一侧,并通过设置第三互连通孔使像素电容与第二TFT层实现电气连接。三层结构叠加设置布局,可以针对开关TFT和驱动TFT对特性不同的需求,将开关TFT和驱动TFT分别制备,同时可以有效减少像素电路的版图面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 驱动 电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素驱动电路,包括基板(100),形成在基板(100)上的TFT层和像素存储电容(103),其特征在于,所述的TFT层包括第一TFT层(101)和第二TFT层(102),所述第一TFT层(101)和第二TFT层(102)之间设有隔离层(104),所述隔离层(104)中设有若干贯穿所述隔离层(104)的第一互连通孔(105),其中,所述第一互连通孔(105)中的一个第一互连通孔(105)内设有导电材料使所述第一TFT层(101)的第一源漏极(106)中的一极和第二TFT层(102)的第二源漏极(113)实现电气连接;所述的像素存储电容(103)形成在所述第二TFT层(102)远离所述隔离层(104)的一侧,并通过设置第三互连通孔(112)使像素存储电容(103)与第二TFT层(102)的第一互连线层(110)实现电气连接;另一个所述第一互连通孔(105)与第三互连通孔(112)内填充的导电材料电气连接实现所述第一源漏极(106)中的另一极与第二互连线层(115)的电气连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510992138.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的