[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201510987697.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106206688B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;庄瑞萍;吕祯祥;陈威廷;刘又诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件结构也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件，和栅极堆叠件包括功函数层和位于功函数层上方的金属填充物。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且邻近栅极堆叠件的隔离元件。隔离元件与功函数层和金属填充物直接接触。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：鳍结构，位于半导体衬底上方；栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分，其中，所述栅极堆叠件包括功函数层和位于所述功函数层上方的金属填充物；以及隔离元件，位于所述半导体衬底上方并且邻近所述栅极堆叠件，其中，所述隔离元件与所述功函数层和所述金属填充物直接接触。
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