[发明专利]一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法有效
申请号: | 201510975404.7 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105590873B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 李全宝;韩冬;姚海平 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李阳 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法,包括以下步骤:在衬底上附着氧化层(oxide)介质膜;在氧化层介质膜上旋涂上光刻胶PR,然后进行曝光,显影;对光刻胶PR进行烘烤,使光刻胶PR形成固定的形貌和厚度;采用RIE干法刻蚀,使用CF4和CHF3气体组合来对介质膜进行刻蚀;保持CF4和CHF3的气体总流量不变,调整CF4和CHF3气体的比例,从而获得一定的oxide和PR的选择比;通过特定oxide和PR的选择比,在介质膜刻蚀过程中,在PR形貌和厚度固定的情况下,逐渐消耗两个肩膀的PR,从而达到介质膜刻蚀呈现正梯形,最终得到底部坡度形貌可控的凸块形状。该方法制备技术简单,制备的凸块形貌可控、重复性良好。 | ||
搜索关键词: | 形貌可控 介质膜 制备 干法刻蚀 凸块 形貌 固定的 选择比 刻蚀 气体总流量 氧化层介质 刻蚀过程 凸块形状 光刻胶 氧化层 正梯形 烘烤 上光 衬底 附着 上旋 显影 坡度 肩膀 消耗 曝光 | ||
【主权项】:
1.一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)在衬底上附着氧化层(oxide)介质膜;(2)在氧化层介质膜上旋涂上光刻胶PR,然后进行曝光,显影;(3)对光刻胶PR进行烘烤,使光刻胶PR形成固定的形貌和厚度;(4)采用RIE干法刻蚀,使用CF4和CHF3气体组合来对介质膜进行刻蚀;(5)保持CF4和CHF3的气体总流量不变,且所述的CF4和CHF3的气体总流量为90sccm,调整CF4和CHF3气体的比例,从而获得一定的氧化层(oxide)介质膜和光刻胶PR的选择比;(6)通过特定氧化层(oxide)介质膜和光刻胶PR的选择比,在介质膜刻蚀过程中,在光刻胶PR形貌和厚度固定的情况下,逐渐消耗两个肩膀的光刻胶PR,从而达到介质膜刻蚀呈现正梯形,最终得到底部坡度形貌可控的凸块形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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