[发明专利]硅蚀刻与清洁

摘要

本发明涉及硅蚀刻与清洁。提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将蚀刻层放置到等离子体处理室中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH₃和NF₃。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些或全部形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。使铵化合物从膜升华。

主权项

1.一种用于将特征蚀刻到在等离子体处理室中的含硅蚀刻层中并清洁所述含硅蚀刻层的方法，所述等离子体处理室具有外部TCP线圈和衬底支撑件，其包括：将所述含硅蚀刻层放置到所述等离子体处理室中；使蚀刻气体流入所述等离子体处理室；将TCP功率从所述TCP线圈提供到所述等离子体处理室以在所述等离子体处理室中使所述蚀刻气体形成蚀刻等离子体，所述蚀刻等离子体位于所述外部TCP线圈和所述衬底支撑件之间，其中所述含硅蚀刻层暴露于所述蚀刻等离子体，并且其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅蚀刻层中，留下含硅残留物；使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室；使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH₃和NF₃；将TCP功率从所述TCP线圈提供到所述等离子体处理室以在所述等离子体处理室中使所述干燥的清洁气体在所述外部TCP线圈和所述衬底支撑件之间形成干燥的清洁气体等离子体，其中所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些形成含铵化合物；使所述干燥的清洁气体的流动停止；以及从所述等离子体处理室去除所述含硅蚀刻层。