[发明专利]硅蚀刻与清洁

说明书

本发明涉及硅蚀刻与清洁。提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将蚀刻层放置到等离子体处理室中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH₃和NF₃。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些或全部形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。使铵化合物从膜升华。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造。更具体地说，本发明涉及硅层的蚀刻和清洁。

背景技术

在半导体晶片处理期间，可以使特征蚀刻穿过硅层。这样的蚀刻工艺会形成残留物或钝化物。

发明内容

为了实现上述意图并按照本发明的目的，提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将所述蚀刻层放置到等离子体处理室中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使所述蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中使所述含硅蚀刻层暴露于所述蚀刻等离子体，并且其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH₃和NF₃。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。从所述等离子体处理室去除所述蚀刻层。

在本发明的另一种表现方式中，提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将所述蚀刻层放置到等离子体处理室中。使含卤素的蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使所述含卤素的蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中使所述含硅蚀刻层暴露于所述蚀刻等离子体，并且其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到含硅层中，留下含硅残留物，其中所述含硅残留物包含氧化硅，SiBr_x、SiCl_x、SiON、SiO_xF_y、SiCO、SiO_xCl_y、或SiO_xBr_y中的至少一种，其中x和y为正整数。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH₃和NF₃，其中所述干燥的清洁气体具有介于1：1到20：1之间的NH₃比NF₃的流量比。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。在60℃至220℃之间的温度下，使所述含铵化合物升华。从所述等离子体处理室去除所述蚀刻层。