[发明专利]用于高产量处理腔室的工艺套件有效
申请号: | 201510964982.0 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN105714269B | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;祝基恩;S·金;王彦杰 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中,所述处理腔室包括:衬层组件,所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内;以及C形通道,所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内,并且包围所述衬层组件。在另一实施例中,本文公开了一种工艺套件,所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 产量 处理 工艺 套件 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的处理腔室,所述处理腔室包括:腔室体,所述腔室体具有内部容积;盖,所述盖封闭所述内部容积;衬层组件,所述衬层组件设置在所述腔室体的所述内部容积内;以及C形通道,所述C形通道设置在所述腔室体的所述内部容积内,并且包围所述衬层组件,所述C形通道进一步包括:顶部环形部,所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口;底部环形部,所述底部环形部面向所述顶部环形部;以及中间环形部,所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体,所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域,所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的