[发明专利]一种三维阻变存储器的制备方法

摘要

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种三维阻变存储器的制备方法。提供一半导体衬底，制备第一绝缘层覆盖半导体衬底的表面后，制备金属位线层贯穿第一绝缘层至半导体衬底的表面，制备第一薄膜层覆盖第一绝缘层及金属位线层的表面后，按照从下至上顺序依次制备第二薄膜层和第三薄膜层于第三薄膜层之上形成沿子线阵列方向及位线阵列方向呈阵列分布的多个牺牲柱；以多个牺牲柱为掩膜，依次刻蚀第一薄膜层、第二薄膜层及第三薄膜层至第一绝缘层的上表面，去除多个牺牲柱后，在第一绝缘层之上形成多个相互隔离的双向选通管，基于多个相互隔离的双向选通管制备位于金属位线层之上的若干第一相变单元；于若干第一相变单元之上形成金属字线层。

主权项

一种三维阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1，提供一半导体衬底，制备第一绝缘层覆盖所述半导体衬底的表面后，制备金属位线层贯穿所述第一绝缘层至所述半导体衬底的表面；步骤S2，沿所述金属位线层延伸方向，制备第一薄膜层覆盖所述第一绝缘层及所述金属位线层的表面后，按照从下至上顺序依次制备第二薄膜层和第三薄膜层；步骤S3，于所述第三薄膜层之上形成沿子线阵列方向及位线阵列方向呈阵列分布的多个牺牲柱；步骤S4，以所述多个牺牲柱为掩膜，依次刻蚀所述第一薄膜层、所述第二薄膜层及所述第三薄膜层至所述第一绝缘层的上表面，去除所述多个牺牲柱后，在所述第一绝缘层之上形成多个相互隔离的双向选通管；步骤S5，基于所述多个相互隔离的双向选通管制备位于所述金属位线层之上的若干第一相变单元；步骤S6，于所述若干第一相变单元之上形成金属字线层，并沿所述金属字线层延伸方向，重复步骤S2～步骤S5，以形成位于所述金属字线层之上的若干第二相变单元；步骤S7，基于所述若干第一相变单元和所述若干第二相变单元制备所述三维阻变存储器。