[发明专利]空腔形成方法以及半导体器件结构有效
| 申请号： | 201510917443.1 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105428218B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 季锋;闻永祥;刘琛;孙伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种空腔形成方法以及半导体器件结构，所述空腔形成方法在N型掺杂的硅衬底正面预定区域形成N型掺杂区域，并将硅衬底正面的N型掺杂区域转换为多孔硅层，再在硅衬底的正面外延生长单晶硅层，并在单晶硅层中形成暴露所述多孔硅层的通孔，随后去除所述多孔硅层以形成空腔。本发明使用单一硅片即可形成空腔结构，并且通过控制N型掺杂区域的结深就能控制空腔的大小，工艺简单，成本较低。此外，该方法能够与CMOS工艺兼容，可用于制造IC与MEMS兼容的集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 形成 方法 以及 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种空腔形成方法，其特征在于，包括：提供一N型掺杂的硅衬底；在所述硅衬底正面的预定区域注入N型杂质离子以形成N型掺杂区域；将所述硅衬底正面的N型掺杂区域转换为多孔硅层；在所述硅衬底的正面外延生长单晶硅层；在所述单晶硅层中形成暴露所述多孔硅层的通孔；去除所述多孔硅层以形成空腔；以及在所述单晶硅层上形成膜层以封闭所述空腔；其中，在所述硅衬底的正面外延生长单晶硅层之前，还包括：在所述多孔硅层表面形成二氧化硅层；以及去除所述多孔硅层表面的二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
