[发明专利]一种硅芯连接方法在审
| 申请号： | 201510915622.1 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105329900A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李春松;吴良;杨紫琪;高亚丽;王素贤 | 申请（专利权）人： | 黄河水电光伏产业技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 810007 *** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅芯连接方法，用于将第一断裂硅芯和第二断裂硅芯进行连接修复，包括步骤：A、将第一断裂硅芯的第一断裂端与第二断裂硅芯的第二断裂端进行加热至1100℃～1250℃；B、将第一断裂端与第二断裂端接触，并继续加热第一断裂端和第二断裂端至1300℃～1350℃，第一断裂端和第二断裂端熔融连接；C、将熔融连接的第一断裂端与第二断裂端降温，第一断裂硅芯和第二断裂硅芯连接修复。根据本发明的硅芯连接方法，可以使断裂的硅芯连接修复后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种硅芯连接方法，用于将第一断裂硅芯和第二断裂硅芯进行连接修复，其特征在于，包括步骤：A、将所述第一断裂硅芯的第一断裂端与所述第二断裂硅芯的第二断裂端加热至1100℃～1250℃；B、将所述第一断裂端与所述第二断裂端接触，并继续加热所述第一断裂端和所述第二断裂端至1300℃～1350℃，所述第一断裂端和所述第二断裂端熔融连接形成连接部；C、将所述连接部降温，所述第一断裂硅芯和所述第二断裂硅芯连接修复。
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