[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，在对非晶硅层进行离子植入诱导结晶后，无需将得到的多晶硅层表面的离子诱导层完全去除，而是通过半色调光罩工艺，仅仅去除沟道区的离子诱导层，且后续的源/漏极接触区也不需要再次进行离子植入，从而节省了再次进行离子植入所需的光罩；同时源/漏极也在所述半色调光罩下完成制作，从而节省了制作源/漏极所需的光罩；并且因为先制作源/漏极，所以省去了层间绝缘层的制作，从而节省了制作层间绝缘层所需的光罩；本发明的TFT基板的制作方法通过使用半色调光罩工艺，将现有技术所需的九道光罩缩减至六道光罩，有效简化了制程，提高了生产效率，节省了生产成本。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)，在所述缓冲层(2)上沉积非晶硅层(3)；步骤2、对所述非晶硅层(3)进行离子植入，并进行高温烘烤使非晶硅结晶转变为多晶硅，得到位于缓冲层(2)上的多晶硅层(4)、及位于多晶硅层(4)上的离子诱导层(5)；步骤3、在所述离子诱导层(5)上沉积第一金属层(60)，在所述第一金属层(60)上涂布光阻，提供半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，得到相互间隔的第一光阻段(51)与第二光阻段(52)；所述第一光阻段(51)的两侧区域(511)的厚度大于中间区域(512)的厚度；步骤4、以所述第一光阻段(51)与第二光阻段(52)为遮蔽层，对所述第一金属层(60)、离子诱导层(5)、多晶硅层(4)进行蚀刻，得到岛状半导体与源/漏极区域(61)；步骤5、对所述第一光阻段(51)与第二光阻段(52)进行灰化处理，去除所述第一光阻段(51)的中间区域(512)，以剩余的第一光阻段(51)为遮蔽层，对所述岛状半导体与源/漏极区域(61)中的第一金属层(60)、及离子诱导层(5)进行蚀刻，得到具有沟道区(41)的岛状半导体层(40)、位于所述岛状半导体层(40)上的源/漏极接触区(50)、及位于所述源/漏极接触区(50)上的源/漏极(6)；剥离剩余的第一光阻段(51)与第二光阻段(52)；步骤6、在所述源/漏极(6)上沉积栅极绝缘层(7)；在所述栅极绝缘层(7)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极(8)；步骤7、在所述栅极绝缘层(7)、栅极(8)上形成保护层(9)；在所述保护层(9)上形成平坦层(10)；在所述平坦层(10)、保护层(9)、及栅极绝缘层(7)上对应源/漏极(6)的上方形成过孔(91)；步骤8、在所述平坦层(10)上制作阴极(11)，所述阴极(11)经由所述过孔(91)与所述源/漏极(6)相接触；在所述平坦层(10)上形成像素定义层(12)，并在所述像素定义层(12)上形成开口(121)以暴露出部分阴极(11)；在所述开口(121)处蒸镀OLED(13)；所述步骤1中，所述非晶硅层(3)的厚度为