[发明专利]具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件有效
| 申请号： | 201510878201.6 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105679745B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | C.耶格;J.G.拉文;J.马勒;D.佩多内;A.普吕克尔;H-J.舒尔策;A.施瓦格曼;P.施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包含被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）的第一负载端子（L1）。栅极端子（G）被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115）。源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中。热电阻元件（400）被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间。在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管单元 热电阻元件 电耦合 负载端子 栅极电极 栅极端子 半导体 个数量级 温度跨度 热连接 源极区 耦合到 电容 电阻 源极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一负载端子（L1），被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）；栅极端子（G），被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115），其中源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中；以及热电阻元件（400），被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间，其中在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。
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