[发明专利]结合不同图案材料的光学光刻技术有效
申请号: | 201510859123.5 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN106057665B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 曾晋沅;洪继正;陈俊光;陈德芳;刘如淦;高蔡胜;林纬良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/308 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及结合不同图案材料的光学光刻技术。具体的,本发明提供一种用于图案化工件的技术,所述工件例如集成电路工件。在示范性实施例中,所述方法包含接收工件,所述工件具有设置在衬底上的材料层。第一组鳍形成在所述材料层上,并且第二组鳍形成在所述材料层上,穿插在所述第一组鳍之间。所述第二组鳍具有与所述第一组鳍不同的蚀刻剂灵敏度。在所述第一组鳍上实施第一蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第二组鳍。在所述第二组鳍上实施第二蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第一组鳍。所述材料层被蚀刻以转移图案,所述图案由所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺界定。 | ||
搜索关键词: | 结合 不同 图案 材料 光学 光刻 技术 | ||
【主权项】:
一种图案化工件的方法,所述方法包含:接收工件,所述工件具有待图案化的材料层;在所述材料层上形成第一组鳍;在所述材料层上形成第二组鳍,所述第二组鳍穿插在所述第一组鳍之间,其中第二组鳍具有与所述第一组鳍不同的蚀刻剂灵敏度;在所述第一组鳍上实施第一蚀刻工艺,经配置以避免实质上蚀刻所述第二组鳍;在所述第二组鳍上实施第二蚀刻工艺,经配置以避免实质上蚀刻所述第一组鳍;以及蚀刻所述材料层,从而将图案转移到所述材料层,所述图案由所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺界定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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