[发明专利]石墨烯量子阱光探测器有效
| 申请号： | 201510857640.9 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336808A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 卢琪;伍晓明;张进宇;吴华强;钱鹤;余志平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯量子阱光探测器，包括：第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层均由压电材料构成；量子阱层，所述量子阱层位于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述量子阱层包括两个半导体子层和位于两个半导体子层之间的石墨烯纳米带。本发明具有如下优点：利用量子阱的最优偏置电压，使得量子阱中的最高能级与导带边界对准形成最大的输出光电流，从而达到最大的探测灵敏度；利用压电电势，调节量子阱的偏置电压，从而提高单个量子阱的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 量子 探测器 | ||
【主权项】：
一种石墨烯量子阱光探测器，其特征在于，包括：第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层均由压电材料构成；量子阱层，所述量子阱层位于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述量子阱层包括两个半导体子层和位于两个半导体子层之间的石墨烯纳米带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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