[发明专利]一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池在审
| 申请号: | 201510843911.5 | 申请日: | 2015-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN105405976A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
| 发明(设计)人: | 于军胜;王瀚雨;郑丁;邢珅 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 刘贤科 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种高迁移率有机小分子掺杂的三元有机太阳能电池,属于有机聚合物光伏器件或有机半导体薄膜太阳能电池领域。该电池采用反型结构,从下到上依次为:衬底层,透明导电阴极ITO,阴极缓冲层,光活性层,阳极缓冲层,金属阳极;光活性层的重量百分比组成为:电子给体38-39.5%,电子受体57-60%,高迁移率有机小分子0.5-5%。在光活性层中加入高迁移率有机小分子材料,提高空穴在光活性层中的传输能力,提高空穴在阳极处的收集能力,从而提高器件的短路电流密度,最终提升器件的光电转换性能。该高迁移率有机小分子掺杂的三元有机太阳能电池具有光电转换性能高、制备工艺简单、制程短、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 迁移率 有机 分子 掺杂 三元 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池采用反型结构,从下到上依次为:衬底层,透明导电阴极ITO,阴极缓冲层,光活性层,阳极缓冲层,金属阳极;光活性层的重量百分比组成为:电子给体38‑39.5%,电子受体57‑60%,高迁移率有机小分子0.5‑5%。
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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