[发明专利]一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池在审
| 申请号: | 201510843911.5 | 申请日: | 2015-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN105405976A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
| 发明(设计)人: | 于军胜;王瀚雨;郑丁;邢珅 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 刘贤科 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 迁移率 有机 分子 掺杂 三元 太阳能电池 | ||
1.一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池采用反型结构,从下到上依次为:衬底层,透明导电阴极ITO,阴极缓冲层,光活性层,阳极缓冲层,金属阳极;光活性层的重量百分比组成为:电子给体38-39.5%,电子受体57-60%,高迁移率有机小分子0.5-5%。
2.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述高迁移率有机小分子为并四苯(Tetracene)。
3.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述光活性层中电子给体材料为P3HT。
4.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述光活性层中的电子受体材料为:PC61BM或PC71BM。
5.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述阳极缓冲层的材料为聚PEDOT:PSS,阳极缓冲层厚度为15-50nm。
6.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述阴极缓冲层材料为TPBi、BCP、Bphen、Alq3、ZnO或TiO2中的一种或多种,阴极缓冲层厚度范围为1-20nm。
7.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述金属阳极材料为Ag、Al或Cu中的一种或多种,金属阳极厚度为100-300nm。
8.根据权利要求1所述的高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池,其特征在于,所述衬底层材料为玻璃或透明聚合物,所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510843911.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





