[发明专利]包括鳍结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510833407.7 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105810736B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体Fin FET器件包括设置在衬底上方的鳍结构。鳍结构包括沟道层。Fin FET器件也包括栅极结构，栅极结构包括栅电极层和栅极介电层，覆盖鳍结构的部分。侧壁绝缘层设置在栅电极层的两个主要侧面上方。Fin FET器件包括源极和漏极，源极和漏极的每个均包括设置在通过去除未由栅极结构覆盖的鳍结构形成的凹槽中的应力源层。应力源层包括按该顺序形成的第一至第三应力源层。在源极中，第一应力源层和沟道层之间的界面位于更接近源极的一个侧壁绝缘层或栅电极下面。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：Fin FET，包括：鳍结构，设置在衬底上方，所述鳍结构包括沟道层并且在第一方向上延伸；栅极结构，包括栅电极层和栅极介电层，覆盖所述鳍结构的部分并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，所述栅极结构还包括设置在所述栅电极层的两个主要侧面上方的侧壁绝缘层；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极的每个均包括设置在未由所述栅极结构覆盖的所述鳍结构中的凹槽中的应力源层，其中：所述应力源层包括第一应力源层、位于所述第一应力源层上面的第二应力源层以及位于所述第二应力源层上面的第三应力源层，并且在所述源极中，所述第一应力源层和所述沟道层之间的界面位于更接近所述源极的一个所述侧壁绝缘层下面或位于栅电极下面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510833407.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
