[发明专利]LED芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片及制备方法，该LED芯片包括依序设置的衬底、缓冲层、N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，LED芯片刻蚀形成台阶露出N-GaN层。P-GaN层上设有氧化铟锡层。氧化铟锡层上设有掺铝氧化锌层，掺铝氧化锌层上和N-GaN层的台阶面上分别设有P电极和N电极。上述LED芯片，氧化铟锡层上设有掺铝氧化锌层，P电极设置在掺铝氧化锌层上，P电极和掺铝氧化锌层之间有非常良好的粘附力，从而可以一定程度上提高金属电极与芯片的粘附力，提高了LED芯片的稳定性和使用寿命。

主权项

一种LED芯片，所述LED芯片包括依序设置的衬底(1)、缓冲层(2)、N‑GaN层(3)、量子阱层(4)和P‑GaN层(5)，所述LED芯片刻蚀形成台阶(10)露出所述N‑GaN层(3)，所述P‑GaN层(5)上设有氧化铟锡层(6)；其特征在于，所述氧化铟锡层(6)上设有掺铝氧化锌层(7)，所述掺铝氧化锌层(7)上和所述N‑GaN层(3)的台阶面上分别设有P电极(8)和N电极(9)。