[发明专利]基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510800962.X | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105304703B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 徐杨;王雪;郭宏伟;陆薇;马玲玲;刘雪梅;孟楠;阿亚兹;万霞;程呈;施添锦;王锋;李炜;刘威 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管，自下而上依次包括栅极、n型硅衬底和二氧化硅隔离层，所述的二氧化硅隔离层上开有窗口，窗口两侧的二氧化硅隔离层表面上分别具有源极和漏极，所述的接触势垒场效应管还包括石墨烯导电通道层，石墨烯导电通道层与源极、漏极和窗口内的n型硅衬底均相接触。本发明接触势垒场效应管可以进行石墨烯通道的载流子迁移率的调控和测量，并可直接测量肖特基势垒高度变化，解决了传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构载流子运输受介质层影响的问题；本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有易于调制且调制效果好，制备工艺简单，易于集成的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 接触 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管，其特征在于，自下而上依次包括栅极(7)、n型硅衬底(1)和二氧化硅隔离层(2)，所述的二氧化硅隔离层(2)上开有窗口(3)，窗口(3)两侧的二氧化硅隔离层(2)表面上分别具有源极(4)和漏极(5)，所述的接触势垒场效应管还包括石墨烯导电通道层(6)，石墨烯导电通道层(6)与源极(4)、漏极(5)和窗口(3)内的n型硅衬底(1)均相接触。
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