[发明专利]一种在闪存产品制造时提高硅片良率的方法在审
| 申请号： | 201510765546.0 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428277A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 马鸣明 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及闪存产品制造领域，具体涉及一种在闪存产品制造时提高硅片良率的方法，在栅极氧化层生长时的现场湿气生成工艺中，将最边缘的探头温度相对于工艺温度降低一定温度t，实验发现，t在7℃以内，特别是6-7℃时，防止形变效果最好。本方法可通过简单的控制，有效减少闪存产品制造时硅片的形变，提高硅片的良率，运用此方法之后，硅片的良率提高7％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 产品 制造 提高 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种在闪存产品制造时提高硅片良率的方法，其特征在于，在栅极氧化层生长时的现场湿气生成工艺中，将最边缘的探头温度相对于工艺温度降低一定温度t,所述的t的范围为7℃以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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