[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201510740015.6 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106653679A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 沈忆华;余云初;傅丰华;潘见 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括提供基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧分别具有一个互连区，所述互连区的基底内分别形成有位于栅极结构两侧的源区和漏区，其中，每一互连区横跨若干个源区或若干个漏区；在所述基底表面和栅极结构表面形成第一介质层；刻蚀位于互连区上方的第一介质层，直至暴露出源区表面或漏区表面，在所述互连区上方形成通孔，且每一通孔横跨一互连区内的全部源区或全部漏区；形成填充满所述通孔的互连层；在所述互连层顶部表面形成第零层导电层，每一第零层导电层与一互连区内的全部源区或全部漏区电连接。本发明增加工艺灵活性，改善形成的半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧分别具有一个互连区，所述互连区的基底内分别形成有位于栅极结构两侧的源区和漏区，其中，每一互连区横跨若干个源区或若干个漏区；在所述基底表面和栅极结构表面形成第一介质层；刻蚀位于互连区上方的第一介质层，直至暴露出源区表面或漏区表面，在所述互连区上方形成通孔，且每一通孔横跨一互连区内的全部源区或全部漏区；形成填充满所述通孔的互连层；在所述互连层顶部表面形成第零层导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
