[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510728966.1 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106169499A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造Fin FET的方法，方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括上层，并且从隔离绝缘层暴露上层的一部分。在鳍结构的一部分上方形成栅极结构。在栅极结构和未被栅极结构覆盖的鳍结构上方形成非晶层。通过对非晶层进行部分地再结晶，在未被栅极结构覆盖的鳍结构上方形成再结晶层。去除未再结晶的剩余的非晶层。在再结晶层上方形成源极和漏极电极层。本发明还提供一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造包括Fin FET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，从隔离绝缘层暴露所述上层的一部分；在所述鳍结构的一部分上方形成栅极结构，所述栅极结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；在所述栅极结构和未被所述栅极结构覆盖的鳍结构上方形成非晶层；通过对所述非晶层进行部分地再结晶，在未被所述栅极结构覆盖的鳍结构上方形成再结晶层；去除未再结晶的剩余的非晶层；以及在所述再结晶层上方形成源极和漏极电极层。
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