[发明专利]处理缺陷非易失性存储器

摘要

一种处理缺陷非易失性存储器，非易失性存储器(NVM)系统具有包括多个存储器段的主NVM扇区、用于保存恢复记录的冗余NVM扇区、具有适于保存主地址和替换地址对的多个存储器区域的地址匹配电路、以及NVM控制器。NVM控制器被配置为确定主NVM扇区的第一存储器段是否不再可用，并因此(i)在冗余NVM扇区中创建用于存储的恢复记录，所述恢复记录包括第一存储器段的地址和与第一存储器段关联的数据，以及(ii)向地址匹配电路增加一对主地址和替换地址对，其中主地址是第一存储器段的地址且替换地址识别与第一存储器段关联的数据的替换位置。

主权项

一种非易失性存储器NVM系统，包括：第一主NVM扇区，包括多个存储器段，每个存储器段具有地址并适于保存与所述存储器段关联的数据；地址匹配电路，包括多个存储器区域，每个存储器区域适于保存主地址和替换地址，其中：所述主地址是所述第一主NVM扇区中的缺陷存储器段的地址；所述替换地址识别保存与所述缺陷存储器段关联的数据的所述NVM系统中的替换位置；以及当所述NVM系统接收到对所述第一主NVM扇区中请求的存储器段的读请求时，所述NVM系统通过确定所清求的存储器段的地址是否与所述地址匹配电路所保存的主地址匹配，来确定所请求的存储器段是否是有缺陷的，从而：如果所述NVM系统确定所清求的存储器段是有缺陷的，那么(i)所述地址匹配电路提供相应的保存的替换地址用于匹配主地址并且(ii)所述NVM系统输出保存在所述相应的替换地址处的数据；以及否则，所述NVM系统输出保存在所请求的存储器段中的数据；以及NVM控制器，与所述第一主NVM扇区、第一冗余NVM扇区和所述地址匹配电路通信。