[发明专利]一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法

摘要

本发明公开了一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过对被刻蚀硅在每次刻蚀前进行两次钝化，并且第一钝化步骤是在高压条件下进行，第二钝化步骤是在低压高偏置功率的条件下进行；通过第一钝化步骤能够确保聚合物快速地分布在被刻蚀硅的开口侧壁上，通过第二钝化步骤能够确保聚合物均匀地分布在被刻蚀硅的开口底部。本发明公开的一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过在每次刻蚀钱进行两次钝化，能够确保聚合物均匀分布在被刻蚀硅的开口侧壁、底部，从而确保再次刻蚀后的硅侧壁不会出现条纹状或洞状的粗糙面，提高了刻蚀后的硅的侧壁光滑度。

主权项

1.一种在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，该方法包含多个重复执行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括：S1，刻蚀步骤，对硅进行刻蚀，在硅表面形成开口；S2，第一钝化步骤，在所述开口内充入聚合物气体，对该开口进行第一次钝化；在第一钝化步骤内，等离子处理装置内的混合气体具有第二气压的同时，该等离子处理装置施加一个第二偏压功率后进行第一次钝化处理，使得所述开口侧壁上部的聚合物多于开口底部的聚合物；S3，第二钝化步骤；在第二钝化步骤内，上述混合气体具有第三气压的同时，所述等离子处理装置施加一个第三偏压功率，使得所述开口侧壁底部的聚合物能够多于开口顶部的聚合物；其中，第二气压大于所述第三气压，第二偏压功率小于第三偏压功率；S4，重复执行步骤S1‑S3，直至对硅的刻蚀深度达到目标要求。