[发明专利]一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法

权利要求书

1.一种在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，该方法包含多个重复执行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括：

S1，刻蚀步骤，对硅进行刻蚀，在硅表面形成开口；

S2，第一钝化步骤，在所述开口内充入聚合物气体，对该开口进行第一次钝化；

在第一钝化步骤内，等离子处理装置内的混合气体具有第二气压的同时，该等离子处理装置施加一个第二偏压功率后进行第一次钝化处理，使得所述开口侧壁上部的聚合物多于开口底部的聚合物；

S3，第二钝化步骤；

在第二钝化步骤内，上述混合气体具有第三气压的同时，所述等离子处理装置施加一个第三偏压功率，使得所述开口侧壁底部的聚合物能够多于开口顶部的聚合物；

其中，第二气压大于所述第三气压，第二偏压功率小于第三偏压功率；

S4，重复执行步骤S1-S3，直至对硅的刻蚀深度达到目标要求。

2.如权利要求1所述的在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，所述步骤S1包含：

将等离子处理装置内充满处理气体，采用第一气压、第一偏压功率，利用所述处理气体在硅表面进行刻蚀形成所述开口。

3.如权利要求1所述的在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，所述第一钝化步骤周期的时长大于所述第二钝化步骤周期的时长。

4.如权利要求1所述的在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，所述混合气体中稀释气体用于促进该混合气体中聚合物气体扩散及均匀地分布在所述开口的内壁及底部，并促进所述第一钝化步骤、所述第二钝化步骤的进行。

5.如权利要求1所述的在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，所述混合气体中聚合物气体为碳氟化物气体。

6.如权利要求1所述的在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，所述第三偏压功率为脉冲偏置功率，该第三偏压功率能够允许高的尖峰偏置功率并保持平均功率。

7.如权利要求1所述的在高深宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，其特征在于，所述第二气压设置的范围是90mT-160mT；所述第二偏压功率的范围是0-10W；

所述第三气压设置的范围是60mT-90mT；所述第三偏压功率设置的范围是50-200W。