[发明专利]绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法

摘要

本发明提供一种绝缘体上III‑V化合物衬底的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，第一介质层中具有暴露衬底的第一沟槽；形成牺牲层和第二介质层，牺牲层填充第一沟槽，并覆盖至少部分第一介质层，第二介质层覆盖牺牲层；在第二介质层中形成开口，开口暴露牺牲层，去除牺牲层，第一介质层与第二介质层之间形成空腔；形成III‑V化合物层，III‑V化合物层填充第一沟槽以及空腔；去除第二介质层，去除第一沟槽及第二沟槽中的III‑V化合物层，第二沟槽位于第一沟槽上方；在第一沟槽中填充第一介质层，在第二沟槽中填充所述III‑V化合物层。本发明中，可制备大尺寸的绝缘体上III‑V化合物衬底，并且，消除III‑V化合物层中的缺陷。

主权项

1.一种绝缘体上III‑V化合物衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层中具有暴露所述衬底的第一沟槽；形成牺牲层和第二介质层，所述牺牲层填充所述第一沟槽，并覆盖至少部分所述第一介质层，所述第二介质层覆盖所述牺牲层；在所述第二介质层中形成开口，所述开口暴露所述牺牲层，通过所述开口去除所述牺牲层，在所述第一介质层与所述第二介质层之间形成空腔；形成III‑V化合物层，所述III‑V化合物层填充所述第一沟槽以及所述空腔；去除所述第二介质层，去除所述第一沟槽及第二沟槽中的III‑V化合物层，所述第二沟槽位于所述第一沟槽上方；在所述第一沟槽中填充所述第一介质层，在所述第二沟槽中填充所述III‑V化合物层。