[发明专利]膜形成装置有效
申请号: | 201510702965.X | 申请日: | 2015-10-26 |
公开(公告)号: | CN105648421B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 辻直人;佐藤和男;山岸孝幸 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 翟国明 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 膜形成装置包括基座和莲蓬式喷头,所述莲蓬式喷头设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道,其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并且水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头,所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小,并且所述第二通道以与所述第一通道相同的方式形成。 | ||
搜索关键词: | 形成 装置 | ||
【主权项】:
1.一种膜形成装置, 包括:基座;以及莲蓬式喷头,其设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道,其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小;所述第一下壁的在竖直方向上的高度是恒定的;所述第二通道通过设置有被第二上壁和第二下壁包围并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三细孔以及形成在所述第二下壁中的多个第四细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;所述第二上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第三细孔和所述第二空腔之间的连接点的距离的增加而减小;所述第二下壁的在竖直方向上的高度是恒定的,其中从所述莲蓬式喷头的上表面的中心至所述第一空腔的流道被设置为所述第一细孔,所述第一细孔形成在所述第一上壁的位于所述基座的中心的正上方处,且其中从所述莲蓬式喷头的上表面的边缘位置至所述第二空腔的流道被设置为所述第三细孔,所述第三细孔和所述第二空腔之间的所述连接点形成在所述第二上壁的位于所述基座的中心的正上方处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的