[发明专利]膜形成装置

说明书

膜形成装置包括基座和莲蓬式喷头，所述莲蓬式喷头设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道，其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并且水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头，所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小，并且所述第二通道以与所述第一通道相同的方式形成。

技术领域

本发明涉及一种用于在基底上产生膜的膜形成装置。

背景技术

例如在等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)或者原子层沉积(ALD)中，通过莲蓬式喷头的气体被供给至基座上的基底。US2005/0229848A1公开了具有莲蓬式喷头的膜形成装置，在所述莲蓬式喷头中形成有两个独立流道的。

其中形成有第一通道和第二通道的莲蓬式喷头被如下所述地使用。首先，经由第一通道供给的第一气体被提供至基底。在第一气体的供应后，只引起吹扫用的气体流过第一通道，从而吹扫第一通道。接下来，经由第二通道供给的第二气体被提供至基底。在第二气体的供应后，只引起吹扫用的气体流过第二通道，从而吹扫第二通道。重复这样的操作结果以交替地向基底供给第一气体和第二气体。

当第一气体供给至基底时如果第二气体残留在第二通道中，或者当第二气体供给至基底时如果第一气体残留在第一通道中，在膜形成质量方面出现恶化。需要增加用于避免膜形成质量恶化的吹扫时间。为了避免这一缺点，优选形成能够被快速吹扫的第一通道和第二通道。

发明内容

本发明已经成功地解决了上述问题，并且本发明的目的在于提供一种具有能够快速吹扫气流通道的莲蓬式喷头的膜形成装置。

本发明的特征和优势可总结如下。

根据本发明的一个方案，膜形成装置包括基座和莲蓬式喷头，所述莲蓬式喷头设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道，其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并且水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头，所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小，所述第一下壁的在竖直方向上的高度是恒定的，所述第二通道通过设置有被第二上壁和第二下壁包围并且水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三细孔以及形成在所述第二下壁中的多个第四细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头，所述第二上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第三细孔的距离的增加而减小，并且所述第二下壁的在竖直方向上的高度是恒定的。

本发明的其他和进一步的目的、特征以及优势将从下面的描述中更充分地呈现。

附图说明

图1为根据第一实施例的膜形成装置的一部分的剖面立体图；

图2为基板的仰视图；

图3为根据第一实施例的膜形成装置剖面图；

图4为基板的一部分的放大图；

图5为沿着图4中的线V-V剖切的剖面图；

图6为用于说明使用根据第一实施例的膜形成装置的膜形成方法的图解；

图7为根据比较例的膜形成装置的剖面图；

图8示出了模拟结果；

图9为示出了模拟第二气体的浓度所处的位置的图解；

图10示出了模拟结果；

图11为根据第二实施例的膜形成装置的剖面图；以及

图12为根据第三实施例的膜形成装置的剖面图。

具体实施方式