[发明专利]膜形成装置有效

专利信息
申请号: 201510702965.X 申请日: 2015-10-26
公开(公告)号: CN105648421B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 辻直人;佐藤和男;山岸孝幸 申请(专利权)人: ASMIP控股有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 翟国明
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 形成 装置
【权利要求书】:

1.一种膜形成装置, 包括:

基座;以及

莲蓬式喷头,其设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道,

其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;

所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小;

所述第一下壁的在竖直方向上的高度是恒定的;

所述第二通道通过设置有被第二上壁和第二下壁包围并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三细孔以及形成在所述第二下壁中的多个第四细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;

所述第二上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第三细孔和所述第二空腔之间的连接点的距离的增加而减小;

所述第二下壁的在竖直方向上的高度是恒定的,

其中从所述莲蓬式喷头的上表面的中心至所述第一空腔的流道被设置为所述第一细孔,所述第一细孔形成在所述第一上壁的位于所述基座的中心的正上方处,且

其中从所述莲蓬式喷头的上表面的边缘位置至所述第二空腔的流道被设置为所述第三细孔,所述第三细孔和所述第二空腔之间的所述连接点形成在所述第二上壁的位于所述基座的中心的正上方处。

2.一种膜形成装置, 包括:

基座;以及

莲蓬式喷头,其设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道,

其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;

所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小;

所述第一下壁的在竖直方向上的高度是恒定的;

所述第二通道通过设置有被第二上壁和第二下壁包围并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三细孔以及形成在所述第二下壁中的多个第四细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;

所述第二上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第三细孔的距离的增加而减小;

所述第二下壁的在竖直方向上的高度是恒定的,且

多个所述第三细孔形成在形成有所述第四细孔的区域的中心正上方的位置与形成有所述第四细孔的区域的外边缘正上方的位置之间。

3.根据权利要求2所述的膜形成装置,其中所述第三细孔在竖直方向上延伸。

4.一种膜形成装置, 包括:

基座;以及

莲蓬式喷头,其设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道,

其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;

所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小;

所述第一下壁的在竖直方向上的高度是恒定的;

所述第二通道通过设置有被第二上壁和第二下壁包围并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三细孔以及形成在所述第二下壁中的多个第四细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头;

所述第二上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第三细孔的距离的增加而减小;

所述第二下壁的在竖直方向上的高度是恒定的,

所述第三细孔形成在所述第二上壁的边缘部,并且

从所述莲蓬式喷头的上表面的边缘位置至所述第二空腔的流道被设置为所述第三细孔。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的膜形成装置,还包括排放管道,通过所述排放管道,经由所述第一细孔、所述第一空腔以及所述多个第二细孔或者经由所述第三细孔、所述第二空腔以及所述多个第四细孔供给到所述基座上并且向外扩散至所述基座的外边缘以外的气体被排放,并且所述排放管道具有包围所述莲蓬式喷头和所述基座的形状。

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