[发明专利]在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法有效
申请号: | 201510683129.1 | 申请日: | 2015-10-20 |
公开(公告)号: | CN105679688B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 亚辛·卡布兹;豪尔赫·卢克;安德鲁·D·贝利三世;穆罕默德·德里亚·特蒂克;拉姆库马尔·苏布拉马尼安;山口阳子 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法。一种识别在多模式脉冲处理中选择的处理点的系统和方法,其包含向等离子体处理室中选择的晶片施加多模式脉冲处理,所述多模式脉冲处理包含多个周期,这些周期中的每一个至少包含多个不同阶段中的一个。在对选择的晶片的多个周期期间,对于选择的至少一个阶段收集至少一个处理输出变量。收集的至少一个处理输出变量的包络和/或模板能够被用于识别选择的处理点。对于先前阶段的收集的处理输出变量的第一轨道能够与选择的阶段的处理输出变量的第二轨道比较。能够计算和使用第二轨道的多变量分析统计以识别选择的处理点。 | ||
搜索关键词: | 模式 脉冲 处理 检测 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种识别多模式脉冲处理中的端点的方法,其包括:向等离子体处理室中的选择的晶片施加多模式脉冲处理,所述多模式脉冲处理包含多个周期,所述多个周期中的每一个包含多个不同阶段;以及在用于所述选择的晶片的所述多个周期期间,针对所述多个阶段中的一个阶段收集至少一个处理输出变量;比较用于跨所述多个周期的阶段的所述至少一个处理输出变量的多个轨道;计算从所述周期的第一周期的所述轨道中的第一轨道上的点到所述周期的第二周期的所述轨道中的第二轨道上的点的距离;以及基于所述距离确定所述多模式脉冲处理的端点是否到达。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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