[发明专利]在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法

权利要求书

1.一种识别多模式脉冲处理中的端点的方法，其包括：

向等离子体处理室中的选择的晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包含多个周期，所述多个周期中的每一个包含多个不同阶段；以及

在用于所述选择的晶片的所述多个周期期间，针对所述多个阶段中的一个阶段收集至少一个处理输出变量；

比较用于跨所述多个周期的阶段的所述至少一个处理输出变量的多个轨道；

计算从所述周期的第一周期的所述轨道中的第一轨道上的点到所述周期的第二周期的所述轨道中的第二轨道上的点的距离；以及

基于所述距离确定所述多模式脉冲处理的端点是否到达。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

分析所述至少一个处理输出变量；以及

从所分析的所述至少一个处理输出变量来识别选择的处理点。

3.如权利要求2所述的方法，其中，从包络识别选择的处理点包含识别所述多模式脉冲处理的端点。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在用于所述选择的晶片的所述多个周期期间，对于所述阶段收集所述至少一个处理输出变量包含：以1Hz至10000Hz之间的采样速率来收集所述至少一个处理输出变量。

5.如权利要求2所述的方法，其中，分析所述至少一个处理输出变量包含：确定所述至少一个处理输出变量的包络，其中，所确定的所述包络至少包含在所述选择的处理点之前的至少一个处理输出变量的趋势。

6.如权利要求5所述的方法，其中，从所述至少一个处理输出变量识别所选择的脉冲处理点包含：从所述至少一个处理输出变量的所述包络识别多模式脉冲处理点。

7.如权利要求5所述的方法，其中，从所述至少一个处理输出变量识别所选择的脉冲处理点包含：识别与所述包络的斜率的选择趋势对应的所选择的脉冲处理点。

8.如权利要求2所述的方法，其中，分析所述至少一个处理输出变量包含：针对所述多模式脉冲处理的所述选择的处理点识别模板，其中，从所述至少一个处理输出变量识别所选择的所述多模式脉冲处理点包含：将针对所选择的所述处理点的模板匹配至所述至少一个处理输出变量。

9.如权利要求8所述的方法，其中，针对多模式脉冲处理的选择的处理点识别模板包含：在用于多个晶片的多模式脉冲处理期间，识别与所述选择的处理点对应的曲线。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在用于多个晶片的所述多模式脉冲处理期间与所述选择的处理点对应的曲线是唯一曲线。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个处理输出变量是在多模式脉冲处理期间从等离子体发射的光学发射频谱或在所述多模式脉冲处理期间从所选择的晶片的顶表面反射的反射频谱中的至少一个。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个处理输出变量是RF电压或RF电流或RF阻抗或一个或多个RF谐波或多模式脉冲处理室压力或多模式脉冲处理室温度。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个处理输出变量在多个不同阶段中的每个中变化。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个不同阶段中的每个具有介于2秒至20秒之间的持续时间。

15.如权利要求2所述的方法，还包括：

从所述多个轨道中区分与含有所选择的所述处理点的所述第二周期中的所述阶段的所述第二轨道，其中，区分包含：

对于所述第二轨道计算多变量分析统计；以及

当所述多变量分析超过阈值时，识别所述选择的处理点。