[发明专利]半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法在审
申请号: | 201510673928.0 | 申请日: | 2015-10-16 |
公开(公告)号: | CN105222392A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 刘期斌;黄海华;向秋澄;童静;邱月瓴 | 申请(专利权)人: | 西南技术物理研究所 |
主分类号: | F25B21/02 | 分类号: | F25B21/02 |
代理公司: | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人: | 郭纯武 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提出的一种半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法,利用本发明可以显著提高半导体制冷器的抗过载冲击能力。本发明通过以下技术方案予以实现:首先对半导体制冷器三周边碲化铋晶粒用环氧胶进行包边保护,在底边留出排气孔;将半导体制冷器灌胶口向上,竖直放置在专用工装内加热;用注胶针筒,采用压缩空气将环氧胶从灌胶口注入半导体制冷器内;灌封完毕,对灌封环氧胶的半导体制冷器及其制冷片持续加热,使环氧胶在制冷片内部充分流动浸润所有碲化铋晶粒及陶瓷板内壁,并排出半导体制冷器内的空气泡;最后将制冷片从专用工装中取出,竖直放置自然固化至少24h。本发明解决了现有技术高过载环境下碲化铋晶粒受力易碎或陶瓷板破损的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制冷 过载 冲击 能力 提高 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法,其特征在于包括如下步骤:清洗半导体制冷器,烘烤20~30min;对半导体制冷器三周边碲化铋晶粒用环氧胶进行包边保护,在底边留出排气孔;将半导体制冷器灌胶口向上,竖直放置于带有加热夹板的半导体制冷器加热专用工装内加热;采用温度控制仪(8)将加热温度控制在温度75℃~85℃,用注胶针筒,采用压缩空气将环氧胶从灌胶口注入半导体制冷器制冷器内;灌封完毕,对灌封环氧胶的半导体制冷器及其制冷片持续加热至少5min,使环氧胶在制冷片内部充分流动浸润所有碲化铋晶粒及陶瓷板内壁,并排出半导体制冷器内的空气泡;最后将制冷片从专用工装中取出,竖直放置自然固化至少24h。
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