[发明专利]半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法

权利要求书

1.一种半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法，其特征在于包括如下步骤：

清洗半导体制冷器，烘烤20～30min；对半导体制冷器三周边碲化铋晶粒用环氧胶进行包边保护，在底边留出排气孔；将半导体制冷器灌胶口向上，竖直放置于带有加热夹板的半导体制冷器加热专用工装内加热；采用温度控制仪(8)将加热温度控制在温度75℃～85℃，用注胶针筒，采用压缩空气将环氧胶从灌胶口注入半导体制冷器制冷器内；灌封完毕，对灌封环氧胶的半导体制冷器及其制冷片持续加热至少5min，使环氧胶在制冷片内部充分流动浸润所有碲化铋晶粒及陶瓷板内壁，并排出半导体制冷器内的空气泡；最后将制冷片从专用工装中取出，竖直放置自然固化至少24h。

2.根据权利要求1所述的提高半导体制冷器抗过载能力的方法，其特征在于：在采用环氧胶对半导体制冷器的三个周边进行包边保护时，在半导体制冷器底部预留既防止灌封时环氧胶四周溢流，又有利于在灌封时排除制冷片底部空气的排气孔。

3.根据权利要求1所述的提高半导体制冷器抗过载能力的方法，其特征在于：用环氧胶灌封方式保护碲化铋晶粒及半导体制冷器陶瓷板。

4.根据权利要求1所述的提高半导体制冷器抗过载能力的方法，其特征在于：灌封选用DG-4环氧胶灌封半导体制冷器，将所述环氧胶灌入制冷片内部。

5.根据权利要求4所述的提高半导体制冷器抗过载能力的方法，其特征在于：调制DG-4环氧胶，将该环氧胶的A、B组分体积配比约为1：1.5～1：2，调和均匀后灌入针筒内，灌胶于半导体制冷器制冷片排列的阵列空隙中。

6.根据权利要求1所述的提高半导体制冷器抗过载能力的方法，其特征在于：灌封时对半导体制冷器进行控温加热，降低环氧胶的粘度便于灌封，同时防止灌封时已进入制冷器内环氧胶快速固化导致胶不均匀分布或流动受阻。

7.根据权利要求1所述的提高半导体制冷器抗过载能力的方法，其特征在于：半导体制冷器加热专用工装具有电连接温度控制仪(8)的上加热夹板(6)和下加热夹板(7),上加热夹板(6)和下加热夹板(7)分别固联在弯弓弹性夹(5)开口端的弹性夹片上。