[发明专利]一种电子硅片的清洗方法在审
| 申请号： | 201510664241.0 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105405743A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋俊 | 申请（专利权）人： | 桂林市味美园餐饮管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 周玉红 |
| 地址： | 541002 广西壮族自治区桂*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电子硅片的清洗方法，包括如下的步骤：(1)用有机溶剂清洗(甲苯、丙酮、酒精等)；(2)用去离子水清洗；(3)用无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)清洗；(4)用氢氟酸清洗；(5)再用去离子水清洗；(6)超声波清洗；(7)最后对硅片真空高温处理便可。本发明的有益效果是：1.清洗后绝缘性能会更好。2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。3.清除杂质，防止硅片中杂质离子影响P-N结的性能，导致P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。4.清除杂质，防止杂质的存在影响硅片的电阻率不稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种电子硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下的步骤：(1)用有机溶剂清洗；(2)用去离子水清洗；(3)用无机酸清洗；(4)用氢氟酸清洗；(5)再用去离子水清洗；(6)超声波清洗；(7)最后对硅片真空高温处理便可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林市味美园餐饮管理有限公司，未经桂林市味美园餐饮管理有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510664241.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有阻抗调制的RF功率放大器系统
- 下一篇：半导体装置和半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
